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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

BSZ076N06NS3 G 

产品描述

MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH

内部编号

173-BSZ076N06NS3-G

生产厂商

Infineon Technologies

infineon

#1

数量:0
最小起订量:1
美国加州
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BSZ076N06NS3 G产品详细规格

规格书 BSZ076N06NS3 G datasheet 规格书
BSZ076N06NS3G
BSZ076N06NS3 G datasheet 规格书
BSZ076N06NS3 G datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 5,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 60V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 20A
Rds(最大)@ ID,VGS 7.6 mOhm @ 20A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 4V @ 35µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 50nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 4000pF @ 30V
功率 - 最大 69W
安装类型 Surface Mount
包/盒 8-PowerVDFN
供应商器件封装 PG-TSDSON-8 (3.3x3.3)
包装材料 Tape & Reel (TR)
P( TOT ) 69W
匹配代码 BSZ076N06NS3 G
安装 SMD
R( THJC ) 1.8K/W
LogicLevel NO
包装 TSDSON-8
单位包 5000
标准的提前期 21 weeks
最小起订量 5000
Q(克) 37nC
无铅Defin RoHS-conform
汽车 NO
我(D ) 20A
V( DS ) 60V
的RDS(on ) at10V 0.0076Ohm
FET特点 Standard
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 20A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4V @ 35µA
漏极至源极电压(Vdss) 60V
标准包装 5,000
供应商设备封装 PG-TSDSON-8 (3.3x3.3)
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 7.6 mOhm @ 20A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 69W
封装/外壳 8-PowerVDFN
输入电容(Ciss ) @ VDS 4000pF @ 30V
闸电荷(Qg ) @ VGS 50nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 BSZ076N06NS3GINCT
工厂包装数量 5000
晶体管极性 N-Channel
连续漏极电流 20 A
零件号别名 BSZ076N06NS3GATMA1 SP000454420
下降时间 5 ns
安装风格 SMD/SMT
产品种类 MOSFET
商品名 OptiMOS
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
正向跨导 - 闵 39 S, 20 S
RoHS RoHS Compliant
典型关闭延迟时间 20 ns
源极击穿电压 20 V
系列 BSZ076N06
RDS(ON) 7.6 mOhms
功率耗散 69 W
最低工作温度 - 55 C
上升时间 40 ns
漏源击穿电压 60 V
栅极电荷Qg 37 nC
Continuous Drain Current Id :20A
Drain Source Voltage Vds :60V
On Resistance Rds(on) :0.006ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :10V
Threshold Voltage Vgs :3V
功耗 :69W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :PG-TSDSON
No. of Pins :8
MSL :MSL 3 - 168 hours
工作温度范围 :-55°C to +150°C
Weight (kg) 0.0002
Tariff No. 85044090

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